紫外激光器半導(dǎo)體激光二極管
發(fā)布時(shí)間：2019-08-30 17:17
紫外激光器半導(dǎo)體激光二極管
20世紀(jì)80年代中期以來(lái)，半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展以及與激光技術(shù)的結(jié)合，催生了紫外激光器半導(dǎo)體激光二極管，這類兼具半導(dǎo)體和激光器特性的激光源，具有更高的峰值功率和較低的能耗，且它的發(fā)射脈寬也較窄，本身不需要溫度和光學(xué)補(bǔ)償，比傳統(tǒng)的發(fā)射光源具有明顯的優(yōu)勢(shì)，并成為中紫外波段AlGaN發(fā)展的重點(diǎn)方向。氣體紫外激光器因?yàn)樵摬ǘ巫贤廨椛涞募ぐl(fā)效率最高，其輸出效率也比較高。
為了使紫外線輻射源更為實(shí)用化，半導(dǎo)體紫外二極管發(fā)展的一個(gè)方向是大幅縮小現(xiàn)有紫外激光器及其電源的體積和功耗，另一個(gè)方向是開發(fā)發(fā)射波長(zhǎng)為280nm、功耗小于10mW的發(fā)光紫外激光器半導(dǎo)體激光二極管以及發(fā)射波長(zhǎng)為340nm、功耗小于25mW的激光二極管。
